کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793587 | 1023679 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single crystal growth and properties of the γ-phase in the CuInSe2-2CdTe system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The intermediate solid solution, abbreviated as the γ-phase, exists within the CuInSe2-2CdTe system. It has a wide homogeneity range and can be considered as a continuous solid solution between the high-temperature (HT) modification of CuInSe2 and CdTe. Single crystals of the γ-phase are grown by a modified Bridgman method. Their crystal structure and electrical properties are studied. The γ-phase crystals crystallize in the cubic structure of zinc blende (space group F4¯3m) and possess intrinsic p-type conductivity with hole mobilities up to 8.29 cm2/V s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 8, 1 April 2009, Pages 2381-2384
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 8, 1 April 2009, Pages 2381-2384
نویسندگان
O.V. Parasyuk, Z.V. Lavrynyuk, O.F. Zmiy, Y.E. Romanyuk,