کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793856 | 1023685 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Vapor pressure of germanium precursors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The vapor pressure of two germanium precursors tetrakis(methoxy)germanium (Ge(OCH3)4, CASRN 992-91-6) and tetrakis(ethoxy)germanium (Ge(OC2H5)4, CASRN 14165-55-0) was determined using a static method in the temperature range 259–303 K. The experimental vapor pressure data were fit with the Antoine equation. The mass spectra before and after degassing by vacuum distillation at low temperature are also reported and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 23, 15 November 2008, Pages 4720–4723
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 23, 15 November 2008, Pages 4720–4723
نویسندگان
J. Pangrác, M. Fulem, E. Hulicius, K. Melichar, T. Šimeček, K. Růžička, P. Morávek, V. Růžička, S.A. Rushworth,