دانلود رایگان مقالات نشریه ISI رشد بلور

Metal-organic molecular beam epitaxy growth of InN films on highly orientated TCO/Si(1 0 0) substrates

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Enhancement of electron mobility in ZnO layers with applying ultrasonic spray-assisted MOVPE and buffer layers

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effects of N doping on ZnO thin films grown by MOVPE

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Step-flow growth of homoepitaxial ZnO thin films by ultrasonic spray-assisted MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth of Ga-doped ZnO by MOVPE using diisopropylzinc and tertiary butanol

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth of non-polar (1 1 2¯ 0)GaN on a patterned (1 1 0)Si substrate by selective MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth of InxGa1-xN/GaNInxGa1-xN/GaN QW structures with high indium concentration on cc-plane and mm-plane surfaces by MOVPE

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Properties of non-polar a-plane GaN/AlGaN quantum wells

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Reactor-pressure dependence of growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effects of off-axis GaN substrates on optical properties of m-plane InGaN/GaN light-emitting diodes

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Structural and optical properties of polar and non-polar ZnO films grown by MOVPE

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Indium nitride quantum dot growth modes in metalorganic vapour phase epitaxy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Influence of growth temperature and V/III ratio on the optical characteristics of narrow band gap (0.77 eV) InN grown on GaN/sapphire using pulsed MOVPE

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Microstructure of InN epilayers deposited in a close-coupled showerhead reactor

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth conditions and surface morphology of AlN MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Strain compensated AlGaN/GaN-Bragg-reflectors with high Al content grown by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Emission and microstructural behaviors in the InGaN/GaN MQWs with the p-GaN layers grown at different growth temperatures

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Wideband wavelength electroluminescence from InAs/InP QDs using double-cap procedure by MOVPE selective area growth

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Characterization of GaSb nanowires grown by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Luminescence of GaAs/AlGaAs core–shell nanowires grown by MOVPE using tertiarybutylarsine

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

VLS growth of GaAs/(InGa)As/GaAs axial double-heterostructure nanowires by MOVPE

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Red to orange electroluminescence from InP/AlGaInP quantum dots at room temperature

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Selective-area growth of GaAs and InAs nanowires—homo- and heteroepitaxy using SiNxSiNx templates

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth of red InP/GaInP quantum dots on a low density InAs/GaAs island seed layer by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

InAs island-to-ring transformation by a partial capping layer

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effect of an Al2O3 transition layer on InGaN on ZnO substrates by organometallic vapor-phase epitaxy

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

InAs/InP QDs with GaxIn1−xAs cap layer by a double-cap procedure using MOVPE selective area growth

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effect of boron incorporation on growth behavior of BGaN/GaN by MOVPE

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth study of GexSbyTez deposited by MOCVD under nitrogen for non-volatile memory applications

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Hexagonal boron nitride grown by MOVPE

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Hexagonal BN epitaxial growth on (0 0 0 1) sapphire substrate by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

MOVPE growth of transition-metal-doped GaN and ZnO for spintronic applications

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth and characterization of manganese-doped InAsP

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Optically in-situ monitored growth of carbon doped InAlAs by LP-MOVPE using CBr4

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Analysis of germanium epiready wafers for III-V heteroepitaxy

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Memory effect of Ge in III–V semiconductors

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Demonstration of planar thick InP layers by selective MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Isoelectronic nitrogen δ-doping in GaP and single-photon emission from individual nitrogen pairs

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Ambience effects in annealing on improvements of optical properties of GaInNAs/GaAs single quantum wells

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Characterization of high-purity arsine and gallium arsenide epilayers grown by MOCVD

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Monolithic integration of Ga(NAsP)/(BGa)P multi-quantum well structures on (0 0 1) silicon substrate by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth of InAs on Si substrates at low temperatures using metalorganic vapor phase epitaxy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

InxGa1−xAs/InP selective area metal-organic vapor phase epitaxy for non-magnetic semiconductor spintronics

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Ways to quantitatively detect antiphase disorder in GaP films grown on Si(0 0 1) by transmission electron microscopy

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

III–V epitaxy on Si for photonics applications

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Influence of growth parameters on the sub-bandgap absorption of MOVPE-grown GaN measured using photothermal deflection spectroscopy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Micro-Raman for compositions characterization of selective area growth of AlxGayIn1−x−yAs materials by metal-organic vapor-phase epitaxy

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Kinetic analysis of surface adsorption layer for InGaAsP-related binary materials using in situ RAS

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

In-situ monitoring of the p- and n-type doping in AlGaInP

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Vapor pressure of germanium precursors

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Tailor-made precursors for the deposition of Sb-containing materials by the MOCVD process

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Hydrogen effects in III-nitride MOVPE

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

MOVPE growth of AlGaN/GaN superlattices on ZnO substrates for green emitter applications

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Comparison of electrical properties in GaN grown on Si(1 1 1) and c-sapphire substrate by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Properties of MOVPE GaN grown on ZnO deposited on Si(0 0 1) and Si(1 1 1) substrates

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Modulated precursor flow epitaxial growth of ternary AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

The influence of substrate surface preparation on LP MOVPE GaN epitaxy on differently oriented 4H-SiC substrates

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

High-reflectivity ultraviolet AlN/AlGaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Process optimization for the effective reduction of threading dislocations in MOVPE grown GaN using in situ deposited SiNxSiNx masks

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Contents of The 14th International conference on Metalorganic Vapor Phase Epitax (ICMOVPE-XIV)

8 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth of InAsSb/InPSb heterojunctions for mid-IR detector applications

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Improving photoluminescence of highly strained 1.32 μm GaAsSb/GaAs multiple quantum wells grown on misorientation substrate

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Temperature effect on the growth of strained GaAs1−ySby/GaAs (y>0.4) quantum wells by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Type II GaAsxSb1−x/InAs (x<0.35) heterojunction grown by MOVPE near a miscibility gap of the ternary solid solution

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

MOVPE growth of Ga(As)SbN on GaSb substrates

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth of various antimony-containing alloys by MOVPE

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Characterization of GaSb thin films from tailor-made single-source precursors

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

MOVPE growth of antimonide-containing alloy materials for long wavelength applications

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه