| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1793885 | 1023685 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Type II GaAsxSb1−x/InAs (x<0.35) heterojunction grown by MOVPE near a miscibility gap of the ternary solid solution
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ternary GaAsxSb1−x solid solutions in the composition range 0.05
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 23, 15 November 2008, Pages 4846–4849
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 23, 15 November 2008, Pages 4846–4849
نویسندگان
K.D. Moiseev, V.V. Romanov, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev,