کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793898 | 1023685 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates](/preview/png/1793898.png)
چکیده انگلیسی
Single-crystal GaN thin films were successfully grown on porous Si (PSi) substrates using metalorganic chemical vapor deposition. The full-width at half-maximum (FWHM) of the asymmetric rocking curve for a GaN film on a PSi substrate was narrower than that for a GaN film on a normal flat-Si substrate (Flat-Si), whereas the FWHM of the symmetric one is broader. Compared with a GaN film on Flat-Si, the extent of wafer bending was reduced and the band-edge emission from GaN was enhanced. Moreover, the tensile stress in the film was significantly reduced.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 23, 15 November 2008, Pages 4900–4903
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 23, 15 November 2008, Pages 4900–4903
نویسندگان
Hiroyasu Ishikawa, Keita Shimanaka, Fumiyuki Tokura, Yasuhiko Hayashi, Yosuke Hara, Masami Nakanishi,