دانلود رایگان مقالات نشریه ISI رشد بلور

Semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

High-temperature growth of thick AlN layers on sapphire (0 0 0 1) substrates by solid source halide vapor-phase epitaxy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

TEM studies of GaN layers grown in non-polar direction: Laterally overgrown and pendeo-epitaxial layers

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

AlN bandgap temperature dependence from its optical properties

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Native oxide and hydroxides and their implications for bulk AlN crystal growth

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Characterization of bulk AlN crystals with positron annihilation spectroscopy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Light-emitting diode development on polar and non-polar GaN substrates

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Growth of InGaN and InGaN/InGaN quantum wells by plasma-assisted molecular beam epitaxy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Fabrication and properties of GaN-based lasers

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Boron phosphide as the buffer-layer for the epitaxial III-nitride growth: A theoretical study

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Reviewing recent developments in the acid ammonothermal crystal growth of gallium nitride

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Free-standing zinc-blende (cubic) GaN layers and substrates

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Thick GaN layers grown by HVPE: Influence of the templates

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Fabrication and characterization of native non-polar GaN substrates

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effect of carbon additive on increases in the growth rate of 2 in GaN single crystals in the Na flux method

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Optical properties of bulk GaN crystals grown from solution at moderate pressure and temperature

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Seeded growth of GaN single crystals from solution at near atmospheric pressure

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

GaN crystallization by the high-pressure solution growth method on HVPE bulk seed

10 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Excellent crystallinity of truly bulk ammonothermal GaN

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Ammonothermal growth of bulk GaN

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2008 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه