کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793951 | 1023685 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of GaSb nanowires grown by MOVPE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the growth and characterization of GaSb nanowires grown by MOVPE. The structural properties of the nanowires are investigated by the means of transmission electron microscopy, X-ray diffraction and single nanowire photoluminescence. The measurements confirm a high material quality in the GaSb nanowires. Also, a back-gated nanowire transistor structure is used to extract values for the polarity and resistivity of the GaSb. Finally, a simple kinetic model is presented to explain the non-linear time dependence of the GaSb nanowire growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 23, 15 November 2008, Pages 5119–5122
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 23, 15 November 2008, Pages 5119–5122
نویسندگان
Mattias Jeppsson, Kimberly A. Dick, Henrik A. Nilsson, Niklas Sköld, Jakob B. Wagner, Philippe Caroff, Lars-Erik Wernersson,