کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793973 | 1023686 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impurity gettering effect of Te inclusions in CdZnTe single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The local impurity distribution in Te inclusions of CdZnTe (CZT) crystal was investigated by the time-of-flight secondary ion mass spectrometry (Tof-SIMS) technique. Direct evidence of impurity gettering in Te inclusions has been observed for the first time. The impurity gettering in Te inclusions originated from the diffusion mechanism during crystal growth and segregation mechanism during crystal cooling. This phenomenon is meaningful, because it reveals how Te inclusions affect CZT properties and provides a possible approach to reduce the impurities in CZT by the way of removing Te inclusions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 1, 15 December 2008, Pages 99-102
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 1, 15 December 2008, Pages 99-102
نویسندگان
G. Yang, A.E. Bolotnikov, Y. Cui, G.S. Camarda, A. Hossain, R.B. James,