کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794238 | 1023693 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of In0.15Ga0.85As nanohloes on GaAs by droplet molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This article reports on the fabrication of self-assembled In0.15Ga0.85As nanoholes on GaAs(1Â 0Â 0)substrates grown by droplet epitaxy using molecular beam epitaxy. The effects of growth interruption time and substrate temperature were investigated. The surface morphology of In0.15Ga0.85As nanoholes were examined by atomic force microscopy. The results show the dependence of density, depth, and width of nanoholes on the growth interruption time and substrate temperature. This growth technique is simple and flexible. It does not require additional complicated substrate processing and has a potential in developing quantum dots and quantum dot molecules for quantum computation applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 7, 15 March 2009, Pages 1843-1846
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 7, 15 March 2009, Pages 1843-1846
نویسندگان
P. Boonpeng, S. Panyakeow, S. Ratanathammaphan,