کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794275 | 1023693 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain engineering in GaN layers grown on silicon by molecular beam epitaxy: The critical role of growth temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work we study both the structural and electrical qualities of AlGaN/GaN high electron mobility transistor heterostructures grown on silicon(1 1 1) by molecular beam epitaxy. Correlations are established between the quality of the structures and the relaxation rate of the mismatch stress in layers grown using ammonia as a nitrogen source. Comparison with layers grown using a nitrogen plasma source confirms the primordial role of the growth temperature for stress relaxation and dislocation filtering.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 7, 15 March 2009, Pages 2002–2005
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 7, 15 March 2009, Pages 2002–2005
نویسندگان
Y. Cordier, N. Baron, S. Chenot, P. Vennéguès, O. Tottereau, M. Leroux, F. Semond, J. Massies,