دانلود مقالات ISI درباره B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا + ترجمه فارسی

Optimisation of a carbon doped buffer layer for AlGaN/GaN HEMT devices

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Doping; A3. Metal–organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Low thermal resistance of a GaN-on-SiC transistor structure with improved structural properties at the interface

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Heat transfer; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Improved breakdown characteristics of monolithically integrated III-nitride HEMT–LED devices using carbon doping

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Improved electron transport properties of InSb quantum well structure using stepped buffer layer for strain reduction

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting indium compounds; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Optimization of AlGaN/GaN/Si(111) buffer growth conditions for nitride based HEMTs on silicon substrates

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A2. Growth from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

MOVPE growth of in situ SiNx/AlN/GaN MISHEMTs with low leakage current and high on/off current ratio

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Measurements of strain in AlGaN/GaN HEMT structures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Strained InGaAs/InAlAs quantum wells for complementary III-V transistors

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting In compounds; B3. Field effect transistors; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of (1 0 0) GaAs substrate misorientation on electrophysical parameters, structural properties and surface morphology of metamorphic HEMT nanoheterostructures InGaAs/InAlAs

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metamorphic growth; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium aluminum arsenide; B2. Semiconducting indium gallium arsenide; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Ultrathin-barrier AlN/GaN heterostructures grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN substrates

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MBE growth and characterization of (100) and (631)-oriented modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Characterization; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Determination of surface electric potential by photoreflectance spectroscopy of HEMT heterostructures

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Characterization; A1. Photoreflectance; A3. Molecular beam epitaxy; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of the substrate and of the nucleation layer on the properties of AlGaN/GaN HEMTs on SiC

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Nucleation; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs/GaAs HEMT heterostructures containing strained superlattices and inverse steps in the metamorphic buffer

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Dislocations; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Strained superlattices; A3. Metamorphic buffer; B2. Semiconducting indium gallium arsenide; B2. Semiconducting indium aluminum arsenide; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MOVPE growth of nonpolar a-plane GaN with low oxygen contamination and specular surface on a freestanding GaN substrate

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Impurities; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Threading dislocation propagation in AlGaN/GaN based HEMT structures grown on Si (111) by plasma assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Threading dislocation; A1. Transmission electron microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN on Si substrate; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

AlN/GaN heterostructures grown by metal organic vapor phase epitaxy with in situ Si3N4 passivation

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Characterization; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Investigation of AlN buffer layers on 6H-SiC for AlInN HEMTs grown by MOVPE

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. X-ray diffraction; A1. Stresses; A1. Crystal morphology; A3. Metal-organic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of growth pressure on coalescence thickness and crystal quality of GaN deposited on 4H–SiC

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Defects; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Low pressure metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Fabrication of nano-crystalline silicon thin film at low temperature by using a neutral beam deposition method

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A1. Surface structure; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Polycrystalline deposition; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Demonstration of high-mobility electron and hole transport in a single InGaSb well for complementary circuits

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 72.80.Ey; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 85.30.TvA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Field-effect transistors; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved hot-wall MOCVD growth of highly uniform AlGaN/GaN/HEMT structures

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.30.−zA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effectiveness of non-linear graded buffers for In(Ga,Al)As metamorphic layers grown on GaAs (0 0 1)

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 61.10.Nz; 61.72.Ff; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Line defects; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy in a high-volume GaAs fab

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction bipolar transistors; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown on 3C-SiC/Si(1 1 1)

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 73.40.Kp; 73.61.Ey; 81.05.−t; 81.15.Gh; 81.15.Hi; 85.30.Tv; A3. Chemical vapor deposition; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Silicon carbide; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Uniform hot-wall MOCVD epitaxial growth of 2 inch AlGaN/GaN HEMT structures

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 85.30.−zA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High mobility metamorphic AlSb/InAs heterostructures grown on InP substrates

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 81.15Hi; 81.05.Ea; 78.55.-m; 85.30.TvA3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN HEMTs on free-standing GaN substrates: MBE growth and microwave characterization

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 81.15.Hi; 72.80.Ey; 85.30.TvA3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Microwave performance and structural characterization of MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs on low dislocation density GaN substrates

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Optimization of nucleation and buffer layer growth for improved GaN quality

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 78.55.−m; 61.10. Nz; 79.60.JvA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Strain engineering in GaN layers grown on silicon by molecular beam epitaxy: The critical role of growth temperature

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 85.30.TvA1. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Stress relaxation; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(1 1 1) and GaN templates

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 61.72.−y; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 85.30.Tv; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMTs grown by MBE on Si(1 1 1)

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 61.72.−y; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 85.30.Tv; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Homoepitaxial growth of GaN and AlGaN/GaN heterostructures by molecular beam epitaxy on freestanding HVPE gallium nitride for electronic device applications

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of the nucleation layer morphology and epilayer structure on the resistivity of GaN films grown on c-plane sapphire by MOCVD

Keywords: B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا; 81.15.G; 71.55.E; 61.72.M; 81.65.C; 81.05.E; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه