کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149643 | 1524404 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved electron transport properties of InSb quantum well structure using stepped buffer layer for strain reduction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. Interfaces - A1 رابط هاA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیA3. Quantum wells - A3 چاه های کوانتومیB2. Semiconducting indium compounds - B2 ترکیبات نیمه هدایت شده ایندیومB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-VB3. High electron mobility transistors - B3 ترانزیستورهای ترابری الکترون بالا
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated a high-quality novel AlInSb buffer layer to increase the electron mobility of an InSb quantum well (QW) structure, which was grown on a (1Â 0Â 0) GaAs substrate by molecular beam epitaxy. We achieved high electron mobility in the InSb QW structure using an Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer and realized reduced compressive strain and improved surface roughness. In addition, we investigated the dependence of the Al0.25In0.75Sb layer thickness in the Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer on the electron mobility characteristics. We only obtained increased electron mobility using the Al0.25In0.75Sb layer within a critical thickness range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 64-69
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 64-69
نویسندگان
S. Fujikawa, T. Taketsuru, D. Tsuji, T. Maeda, H.I. Fujishiro,