کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829849 | 1524499 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(1Â 1Â 1) and GaN templates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(1Â 1Â 1) and GaN templates Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(1Â 1Â 1) and GaN templates](/preview/png/9829849.png)
چکیده انگلیسی
In this work, AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been grown by ammonia source molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (1Â 1Â 1), silicon carbide and GaN templates on sapphire. The structural and electrical properties of these layers have been studied in order to determine the impact of substrate choice and buffer layer on active layer quality. Furthermore, an intercalated AlN layer grown on a GaN template is shown to enhance the insulating properties of the buffer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 383-386
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 383-386
نویسندگان
Y. Cordier, M. Hugues, F. Semond, F. Natali, P. Lorenzini, Z. Bougrioua, J. Massies, E. Frayssinet, B. Beaumont, P. Gibart, J.-P. Faurie,