کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794281 | 1023693 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Advances in quality and uniformity of (Al,Ga)N/GaN quantum wells grown by molecular beam epitaxy with plasma source
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the advances in quality and uniformity of GaN layers and (Al,Ga)N/GaN quantum wells grown by molecular beam epitaxy using a nitrogen plasma source. The first purpose of this work is to highlight that radio frequency plasma cell is a well-proven nitrogen source to achieve, on 2 inch wafers, III-nitrides heterostructures with both crystalline quality and optical properties consistent with the state of the art. Preliminary studies demonstrate consistently uniform properties in terms of both barrier composition and photoluminescence energy peaks across the wafer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 7, 15 March 2009, Pages 2029–2032
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 7, 15 March 2009, Pages 2029–2032
نویسندگان
F. Natali, Y. Cordier, C. Chaix, P. Bouchaib,