کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794324 | 1023695 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High rate photoelectrochemical etching of GaN and the use of patterned substrates for HVPE regrowth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
High etching rates of HVPE GaN, up to 2 μm/min, have been achieved by photoelectrochemical etching to produce stripes which are 70–100 μm high. These wafers have been used as substrates for subsequent HVPE growth. The surface after the second growth was irregular and needed to be polished prior to defect density evaluation. The dislocation densities measured by the defect-selective etching were 2×107 cm−2 and 3×105 cm−2 in the stripe region and the low-dislocation-density lateral growth region, respectively. The low-dislocation-density regions formed stripes of about 10 μm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 15, 15 July 2008, Pages 3478–3481
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 15, 15 July 2008, Pages 3478–3481
نویسندگان
G. Kamler, B. Łucznik, B. Pastuszka, I. Grzegory, S. Porowski,