کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794660 | 1023704 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cathodoluminescence of epitaxial GaN and ZnO thin films for scintillator applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Cathodoluminescence of epitaxial GaN and ZnO thin films for scintillator applications Cathodoluminescence of epitaxial GaN and ZnO thin films for scintillator applications](/preview/png/1794660.png)
چکیده انگلیسی
A comparative study of cathodoluminescence ultraviolet photon yields and decay times of large area GaN and zinc oxide (ZnO) layers grown for scintillator applications by metalorganic vapor phase epitaxy is presented. Silicon-doped GaN and non-intentionally-doped ZnO yield up to 1.4±0.2 photons/kVe− and 1.3±0.2 photons/kVe– at room-temperature, respectively. For GaN the decay times scatter between 0.4 and 0.9 ns, and for ZnO between 2.5 and 3.0 ns. The GaN and the ZnO absorption coefficients, α, internal efficiencies, ηi, and radiative constants, B, are determined. The characteristics of thin-film scintillators based on these materials are compared with commercially available granular scintillators.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 16, 1 August 2009, Pages 3984–3988
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 16, 1 August 2009, Pages 3984–3988
نویسندگان
H.P.D. Schenk, S.I. Borenstain, A. Berezin, A. Schön, E. Cheifetz, A. Dadgar, A. Krost,