کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794664 | 1023704 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimizing the growth of CoSi2 film with oxide-mediated CoSi2 template by silicon cap layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Optimizing the growth of CoSi2 film with oxide-mediated CoSi2 template by silicon cap layer Optimizing the growth of CoSi2 film with oxide-mediated CoSi2 template by silicon cap layer](/preview/png/1794664.png)
چکیده انگلیسی
Applying both template and Si cap technology, we achieved the epitaxial growth of CoSi2 directly on Si(1 0 0) substrate by rapid thermal annealing (RTA). The crystal quality of CoSi2 film is found to be significantly dependent on the Si cap thickness. In our work, a good-quality CoSi2 film with a minimum of Ïmin~11.6% and 3.3 Ω/square was obtained as a 15 nm Co with a subsequent 15 nm Si cap layer is deposited on an oxide-mediated CoSi2 template and followed by an anneal at 1050 °C under N2 protection; whereas too thin or thick Si cap layer will deteriorate the crystalline quality of CoSi2. These experimental results are discussed in combination with the simulation of Rutherford backscattering spectroscopy and X-ray reflectivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 16, 1 August 2009, Pages 4007-4010
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 16, 1 August 2009, Pages 4007-4010
نویسندگان
M. Xu, A. Vantomme, D. Smeets, K. Vanormelingen, S.D. Yao,