کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794714 | 1023705 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxial growth and characterizations of Co–Mn–Ge Heusler thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the growth of Co–Mn–Ge thin films on various substrates using low-temperature molecular beam epitaxy. The magnetic and transport properties of the films were investigated. The close-to-stoichiometric Co2MnGe film grown on GaAs(1 0 0) shows ferromagnetism and exhibits anomalous Hall effects at room temperature. The irreversibility of zero-field-cooled and field-cooled measurements suggests the formation of superparamagnetic clusters. On the other hand, the growth of Co2MnGe films on Ge buffer layer and Si(1 0 0) substrate is found to be unsuitable due to the degraded crystal qualities with weak magnetization signals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 308, Issue 2, 15 October 2007, Pages 392–397
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 308, Issue 2, 15 October 2007, Pages 392–397
نویسندگان
C.H. Sim, V. Ko, K.L. Teo, Z.B. Guo, T. Liew, T.C. Chong,