کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794783 | 1023707 | 2008 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of (Al)GaAs/AlAs distributed Bragg mirrors grown by MBE and LP MOVPE techniques
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization of (Al)GaAs/AlAs distributed Bragg mirrors grown by MBE and LP MOVPE techniques Characterization of (Al)GaAs/AlAs distributed Bragg mirrors grown by MBE and LP MOVPE techniques](/preview/png/1794783.png)
چکیده انگلیسی
Optical reflectance (R) and high-resolution X-ray diffraction (HR XRD) have been used for characterization and verification of the distributed Bragg reflectors (DBR) grown by two competing and complementary techniques: molecular beam epitaxy (MBE) and low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP MOVPE). The DBRs under study consisted of the stack of (Al)GaAs and AlAs quarter wavelength layers deposited on (1 0 0) oriented GaAs substrates. We demonstrate experimentally that employment of the above-mentioned methods allows for comprehensive characterization of the Bragg mirror properties and optimization of their fabrication procedure for application in highly demanding optical devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 18, 15 August 2008, Pages 4094–4101
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 18, 15 August 2008, Pages 4094–4101
نویسندگان
A. Jasik, J. Gaca, M. Wójcik, J. Muszalski, K. Pierściński, K. Mazur, M. Kosmala, M. Bugajski,