کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794866 | 1023709 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer Novel UV devices on high-quality AlGaN using grooved underlying layer](/preview/png/1794866.png)
چکیده انگلیسی
A grooved Al0.25Ga0.75N underlying layer on an AlN-coated sapphire substrate was used to grow crack free and low dislocation density Al0.25Ga0.75N to successfully realize high-performance UV A light emitters. A light-emitting diode grown on a grooved AlGaN underlying layer exhibited an output power of 12 mW at a DC current of 50 mA for a peak emission wavelength of 345 nm with an external quantum efficiency of 6.7%, which is the highest to date in this wavelength region. We also fabricated UV A laser diodes with an emission wavelength of 356 nm at a pulsed injection current of 414 mA.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2860–2863
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2860–2863
نویسندگان
Hirotoshi Tsuzuki, Fumiaki Mori, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Harumasa Yoshida, Masakazu Kuwabara, Yoji Yamashita, Hirofumi Kan,