کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794873 | 1023709 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MOVPE growth and properties of GaN on (1Â 1Â 1)Si using an AlInN intermediate layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using an AlInN intermediate layer, GaN was grown on (1 1 1)Si substrate by selective metalorganic vapor phase epitaxy. The variation of the surface morphology was investigated as a function of the In composition and thickness of the AlInN layer. It was found that the In composition in the AlInN layer was a function of the growth temperature and thickness. Because of the small band offset at the AlInN/Si hetero-interface, we have achieved a low series resistance of the order of 9 Ω (0.0036 Ω cm2) across the GaN/AlInN/AlN/Si layer structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2891-2894
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2891-2894
نویسندگان
M. Irie, N. Koide, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki,