کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794915 | 1023709 | 2009 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A review of III-nitride research at the Center for Quantum Devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, we review the history of the Center for Quantum Devices' (CQD) III-nitride research covering the past 15 years. We review early work developing III-nitride material growth. We then present a review of laser and light-emitting diode (LED) results covering everything from blue lasers to deep UV LEDs emitting at 250Â nm. This is followed by a discussion of our UV photodetector research from early photoconductors all the way to current state of the art Geiger-mode UV single photon detectors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 3067-3074
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 3067-3074
نویسندگان
M. Razeghi, R. McClintock,