کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794939 | 1023710 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled growth of nanostructured III-nitride films via a reactive magnetron sputtering method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nanostructured films of AlN, GaN, and InN were grown via a reactive magnetron sputtering technique without templates or catalyst. The growth of nanorod arrays or two-dimensional compact films can be switched by fine tuning nitrogen content in sputtering gas. The nanorods grow along [0 0 1] direction with a diameter of ∼100–500 nm. AlN has a cone shape with an apical tip radius of ∼2 nm. A growth mechanism involving in the mobilities of metallic adatoms (such as Ga, Al, and In) and N adatoms on different crystallographic planes is presented for formation of nanorod arrays.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 306, Issue 2, 15 August 2007, Pages 288–291
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 306, Issue 2, 15 August 2007, Pages 288–291
نویسندگان
Q.L. Liu, Y. Bando, J.Q. Hu,