کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795306 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dramatic dependence of the Fermi level pinning strength on crystal orientation at clean surfaces of n-type In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The electronic density of states at clean surfaces of n-type In0.53Ga0.47As, grown by molecular beam epitaxy on lattice-matched (0Â 0Â 1)- and (1Â 1Â 1)A-oriented InP substrates, was measured by low-temperature scanning tunneling spectroscopy under ultra-high vacuum. It was found that the surface Fermi level (FL) pinning strength dramatically depends on crystal orientation. The FL at the (0Â 0Â 1)-(2Ã4) surface is pinned near midgap, independently of the dopant concentration in the bulk. In contrast, the FL at the (1Â 1Â 1)A-(2Ã2) surface lies in the conduction band, close to the bulk FL, and increases with dopant concentration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 148-151
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 148-151
نویسندگان
Simon Perraud, Kiyoshi Kanisawa, Zhao-Zhong Wang, Yoshiro Hirayama,