کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795361 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE grown high κ dielectrics Ga2O3(Gd2O3) on GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
High κ Ga2O3(Gd2O3) dielectric was deposited on n-type GaN (0 0 0 1) using molecular beam epitaxy (MBE). TiN/Ga2O3(Gd2O3)/GaN metal–oxide–semiconductor (MOS) diodes have exhibited a negligible frequency dispersion, low leakage currents (∼10−8 A/cm2), and a low interfacial density of states (Dit) of 1011 cm−2 eV−1 at the midgap. Well-behaved capacitance–voltage (CV) curves with accumulation and depletion behaviors were shown, with a dielectric constant of 14.7. Forming gas annealing at 600 °C has reduced the frequency dispersion in the CV curves. A sharp oxide/semiconductor interface was shown by high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 390–393
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 390–393
نویسندگان
Y.C. Chang, Y.J. Lee, Y.N. Chiu, T.D. Lin, S.Y. Wu, H.C. Chiu, J. Kwo, Y.H. Wang, M. Hong,