کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795378 | 1023721 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled growth of aluminum oxide thin films on hydrogen terminated Si(0 0 1) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Controlled growth of aluminum oxide thin films on hydrogen terminated Si(0 0 1) surface Controlled growth of aluminum oxide thin films on hydrogen terminated Si(0 0 1) surface](/preview/png/1795378.png)
چکیده انگلیسی
Auger electron spectroscopy, energy electron loss spectroscopy, atomic force microscopy and transmission electron microscopy were used to characterize ultra-thin aluminum oxide films grown on hydrogen-terminated Si(0 0 1)–H substrates via a specific atomic layer deposition and oxidation technique. Oxide thin films grown in such a way are highly stable with temperature at least up to 700 °C. Band gap was estimated to be 6.6±0.2 eV, independent of thickness. Formation of the oxide layer slightly increases the initial roughness of silicon surface. Furthermore, no silicon oxide was found at the aluminum oxide–silicon interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 305, Issue 1, 1 July 2007, Pages 26–29
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 305, Issue 1, 1 July 2007, Pages 26–29
نویسندگان
S. Vizzini, H. Oughaddou, C. Léandri, V.K. Lazarov, A. Kohn, K. Nguyen, C. Coudreau, J.-P. Bibérian, B. Ealet, J.-L. Lazzari, F. Arnaud d’Avitaya, B. Aufray,