کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795435 | 1023722 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Realization of low-dislocation-density, smooth surface, and thick GaInN films on m-plane GaN templates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We grew thick Ga1−xInxN epitaxial films on GaN templates having different crystal orientations. Reciprocal space mapping of asymmetrical X-ray diffraction showed that 1.1-μm-thick Ga0.95In0.05N could be coherently grown on m-plane GaN, while those grown on a-plane and c-plane GaN showed partial relaxation. A 700-nm-thick Ga0.95In0.05N film with a threading dislocation density of approximately 1×108 cm−2 can be successfully grown on a GaN template using a grooved underlying layer. The mechanism of strain relaxation in c-, a- and m-plane Ga1−xInxN films is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 14, 1 July 2008, Pages 3308–3312
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 14, 1 July 2008, Pages 3308–3312
نویسندگان
Aya Miura, Tetsuya Nagai, Ryota Senda, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki,