کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795607 | 1023725 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy of ScxEr1−xSb on InAs(1 0 0)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Molecular beam epitaxy of ScxEr1−xSb on InAs(1 0 0) Molecular beam epitaxy of ScxEr1−xSb on InAs(1 0 0)](/preview/png/1795607.png)
چکیده انگلیسی
The successful molecular beam epitaxial growth of single crystalline ScxEr1−xSb compounds on InAs(1 0 0) substrates has been demonstrated. Ex situ high-resolution X-ray diffraction and Rutherford backscattering spectrometry with ion channeling studies indicate high crystalline quality. The surface reconstruction was monitored in situ by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) during the growth and low-energy electron diffraction post growth. The ScxEr1−xSb(1 0 0) surface exhibited a mixed (1×4)/(4×1) reconstruction. The RHEED patterns and the RHEED intensity oscillations during the growth are consistent with an embedded growth mechanism for the initial ScxEr1−xSb growth on InAs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 2, 15 May 2007, Pages 433–437
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 2, 15 May 2007, Pages 433–437
نویسندگان
S.G. Choi, B.D. Schultz, Y.Q. Wang, C.J. Palmstrøm,