کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795693 | 1023727 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlling of preferential growth mode of ZnO thin films grown by atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A method of controlling a preferred orientation of ZnO thin films grown by Atomic Layer Deposition (ALD) is discussed. The results for ALD films grown at low temperature with zinc acetate as a zinc precursor are presented. We demonstrate that to control a preferential growth mode one has to correlate growth temperature and separation time (so-called purging time) between pulses of precursors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 2, 15 January 2008, Pages 284–289
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 2, 15 January 2008, Pages 284–289
نویسندگان
A. Wójcik, M. Godlewski, E. Guziewicz, R. Minikayev, W. Paszkowicz,