کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1795693 1023727 2008 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlling of preferential growth mode of ZnO thin films grown by atomic layer deposition
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Controlling of preferential growth mode of ZnO thin films grown by atomic layer deposition
چکیده انگلیسی

A method of controlling a preferred orientation of ZnO thin films grown by Atomic Layer Deposition (ALD) is discussed. The results for ALD films grown at low temperature with zinc acetate as a zinc precursor are presented. We demonstrate that to control a preferential growth mode one has to correlate growth temperature and separation time (so-called purging time) between pulses of precursors.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 2, 15 January 2008, Pages 284–289
نویسندگان
, , , , ,