کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795840 | 1023730 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of a-plane ZnO thin films on LaAlO3(1 0 0) substrate by metal-organic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth of a-plane ZnO thin films on LaAlO3(1 0 0) substrate by metal-organic chemical vapor deposition Growth of a-plane ZnO thin films on LaAlO3(1 0 0) substrate by metal-organic chemical vapor deposition](/preview/png/1795840.png)
چکیده انگلیسی
ZnO(1 1 2¯ 0) thin films were successfully grown on LaAlO3 (lanthanum aluminate) (1 0 0) substrate by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition. X-ray diffraction, atomic force microscopy, and scanning electron microscopy showed that ZnO films formed at 450 °C were composed of almost all (1 1 2¯ 0) oriented grains while (0 0 0 2) oriented ZnO grains started to appear at temperature above 550 °C. The a-plane ZnO films consisted of two types of domains with their c-axis perpendicular to each other due to LaAlO3(1 0 0) symmetry with low lattice mismatch along 〈1 1 0〉.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 4, 15 February 2008, Pages 777–782
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 4, 15 February 2008, Pages 777–782
نویسندگان
Jr-Sheng Tian, Mei-Hui Liang, Yen-Teng Ho, Yuan-An Liu, Li Chang,