کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796032 | 1023733 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of anisotropic strain on phonons in a-plane and c-plane GaN layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have studied phonons in two types of anisotropically strained GaN films: c-plane GaN films grown on a-plane sapphire and a-plane GaN films grown on r-plane sapphire. The anisotropic strain in the films is determined by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD) in different measuring geometries and the phonon parameters have been assessed by generalized infrared spectroscopic ellipsometry (GIRSE). The effect of strain anisotropy on GaN phonon frequencies is presented and the phonon deformation potentials aA1(TO), bA1(TO), cE1(TO) and cE1(LO) are determined.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 233-238
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 233-238
نویسندگان
V. Darakchieva, T. Paskova, M. Schubert, P.P. Paskov, H. Arwin, B. Monemar, D. Hommel, M. Heuken, J. Off, B.A. Haskell, P.T. Fini, J.S. Speck, S. Nakamura,