دانلود مقالات ISI درباره A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا + ترجمه فارسی

Influence of indium supply on Au-catalyzed InGaAs nanowire growth studied by in situ X-ray diffraction

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of thick InGaN(0001) films: Effects of substrate temperature on structural and electronic properties

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Crystal Structure; A1. High-Resolution X-ray diffraction; A3. Molecular Beam Epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of gamma-ray irradiation on structural properties of GaAsN films grown by metal organic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Radiation; A3. Metal–organic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effects of lift-off and strain relaxation on optical properties of InGaN/GaN blue LED grown on 150 mm diameter Si (111) substrate

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Characterization; A1. High-resolution x-ray diffraction; A3. MOCVD; B.1 GaN-on-Si; B1. InGaN/GaN blue LED;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Temperature dependent lattice constant of InSb above room temperature

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Crystal structure; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of growth temperature and buffer scheme on characteristics of InP-based metamorphic InGaAs photodetectors

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Crystalline dependence of optical and interfacial properties of InGaN/GaN quantum wells on nonpolar a-plane GaN/r-sapphire

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characterization of <0 1 0> directed ammonium malate single crystals grown by Sankaranarayanan-Ramasamy method

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Recrystallization; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Etching; A2. Growth from solutions; B1. Organic compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A comparative study on growth, structural, optical, thermal and mechanical properties of undoped and dye doped bis glycine cadmium chloride single crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Doping; A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Enhancement in second harmonic generation efficiency, laser damage threshold and optical transparency of Mn2+ doped L-alanine crystals: A correlation with crystalline perfection

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Doping; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Point defect; A2. Growth from solutions; B2. Nonlinear optic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Unidirectional growth of sulphamic acid single crystal and its quality analysis using etching, microhardness, HRXRD, UV-visible and Thermogravimetric-Differential thermal characterizations

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Defects; A1. Etching; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Impurities; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High-efficiency quadruple junction solar cells using OMVPE with inverted metamorphic device structures

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Temperature effects during the growth of InxGa1−xN films through the whole compositional range by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Liquid phase epitaxial growth of Zn3As2 and the effect of 100 MeV Ni9+ ion irradiation

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Hd; 81.15.Lm; 61.05.cp; 68.37.Hk; 73.61.Le; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Suppression of phase separation in InGaN layers grown on lattice-matched ZnO substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Phase separation; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Sapphire; B1. ZnO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaN on Si with nm-thick single-crystal Sc2O3 as a template using molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. High-resolution transmission electron microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Sc2O3; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Unidirectional growth of 〈0 0 1〉 sodium acid phthalate single crystal by Sankaranarayanan–Ramasamy (SR) method

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.05.Cp; 81.10.Dn; 81.10.−hA1. Solubility; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray diffraction; A2. Bulk crystal growth; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The effect of AlN buffer growth parameters on the defect structure of GaN grown on sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.−i; 61.71.Hh; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. Defects; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

ZnO films grown by MOCVD on GaAs substrates: Effects of a Zn buffer deposition on interface, structural and morphological properties

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 68.37.Hk; 68.55.ag; 68.55.jm; 81.15.Gh; A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Metal-organic chemical vapour deposition; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Microstructure of InN epilayers deposited in a close-coupled showerhead reactor

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Defects; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Plasma-assisted molecular beam epitaxy of SnO2 on TiO2

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.15.Hi; 81.10.−h; 61.05.cp; 68.37.−dA1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Temperature effect study on structural and morphological properties of In.08Ga.92As/GaAs structures grown by MOVPE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.15.Gh; 07.79.Lh; 61.10.Nz; 78.66.Fd; 78.40.FyA1. Crystal morphology; A1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Lattice parameters of bulk GaN fabricated by halide vapor phase epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 61.10.Nz; 61.82.FkA1. GaN bulk; A1. Lattice parameters; A1. High-resolution x-ray diffraction; A1. Point and extended defects; B3. Hydride/Halide vapor phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of inorganic and organic additives on the crystal growth, properties and crystalline perfection of tris(thiourea)copper(I) chloride (TCC) crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.10.Dn; 61.10.Nz; 42.65.Ky; 61.66.HqA1. Characterization; A1. Doping; A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Lattice-matched InAlN/GaN two-dimensional electron gas with high mobility and sheet carrier density by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 07.79.Lh; 81.15.Hi; 73.40.−CA1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Aluminum monolayers on Si (1 1 1) for MBE-growth of GaN

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of GaN and GaN/AlN multiple quantum wells on sapphire, Si and GaN template by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 68.65.Fg; A1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Correlation between Raman intensity of the N-related local vibrational mode and N content in GaAsN strained layers grown by MOVPE

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 78.30.−j; 63.20.−e; 63.20.Pw; 81.15.KkA1. Compositional analysis; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. MOVPE; B1. GaAsN alloys; B1. III–V-nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.55.−aA1. Crystal morphology; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Low-pressure metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitrides; B2. Semiconductor aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.-i; 68.35.Ct; 68.65.+g; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Heterointerfaces; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. In surface segregation; A3. MBE; A3. Superlattices; B1. GaAs; B2. InGaAs; B2. (n11)A GaAs substrates;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystalline perfection of GaN and AlN epitaxial layers and the main features of structural transformation of crystalline defects

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.Nz; 61.72.Dd; 68.55.−aA1. Characterization; A1. Defects; A1. High-resolution X-ray diffraction; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of anisotropic strain on phonons in a-plane and c-plane GaN layers

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 78.30.Fs; 63.22.−e; 81.05.Ea; 61.10.Nz; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Infrared spectroscopic ellipsometry; A1. Phonons; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Al- and N-polar AlN layers grown on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 68.55.−aA1. Crystal morphology; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitrides; B2. Semiconductor aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation on the physicochemical properties of nonlinear optical (NLO) single crystal: l-histidinium dinitrate

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.10.−h; 61.10.Nz; 74.25.Gz; 42.65.−k; 67.80.GbA1. Characterization; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Needle morphology; A1. Optical properties; A2. Growth from solutions; B2. Nonlinear optics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MBE growth of highly strained InGaPN/GaPN quantum well with high indium content

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting quaternary alloys; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of organic dopants on ZTS single crystals

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.10.Dn; 61.10.Nz; 42.65.Ky; 61.66.HqA1. Characterization; A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Growth from solutions; B1. Zinc compounds; B3. Nonlinear optical

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

On the determination of the structural parameters of GaxIn1−xAs/AlAsySb1−y superlattices by X-ray diffraction

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.05.Ea; 61.10.Nz; 81.15.Hi; 68.35.Fx; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Superlattices; B1. Antimonides; B2. Semiconductor III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Quantitative analysis of variant III CuAu-I-type ordering of AlxGa1−xAs on (1 1 0), (1 1 1)A and (0 0 1) GaAs substrates using X-ray diffraction

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of the low-temperature buffer thickness on quality of InSb grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.−i; 68.55.−a; 78.30.−j; 78.55.Cr; 81.15.Hi; A1. Atomic force microscope; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A1. Raman scattering; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Intermixing in self-assembled InAs quantum dot formation

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.Nz; 61.14.Hg; 68.35.Dv; 68.43.Mn; 68.65.Hb; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Low-dimensional structures; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Segregation; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural studies of strain-symmetrised modulation-doped Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.−i; 61.10.−Kw; 85.30.Vw; 81.15.Hi; 73.61.Cw; 78.60.−b; A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Multiple quantum well structures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Si/SiGe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Early stage growth behavior of ZnO nanoneedle arrays on Al2O3 (0 0 0 1) by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.Nz; 68.55.Jk; 78.67.−n; 79.60.Jv; 81.07.Bc; 81.15.Gh; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Enhancement of crystalline, piezoelectric and optical quality of LiNbO3 single crystals by post-growth annealing and poling

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.72.Cc; 61.72.Mn; 61.10.Nz; 64.70.Kb; 68.49.Uv; A1. Annealing; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Poling; A2. Czochralski method; B1. LiNbO3; B2. Ferroelectric single crystals;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth on microscale patterned silicon structures

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; A1. Characterization; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and thermal properties of Co2+:LaMgAl11O19 crystal

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 81.10.Fq; 61.10.Nz; 65.40.Ba; 65.40.De; 66.30.Xj; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Segregation; A1. Solid-state reaction; A1. X-ray diffraction; A1. X-ray fluorescence analysis; A2. Czochralski method; A2. Single-crystal growth; B1. Lanthanum ma

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MBE growth and properties of GaAsSbN/GaAs single quantum wells

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 71.55.Eq; 73.21.Fg; 78.55.Cr; 78.67.De; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitride; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Long wavelength laser dio

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study of ZnO crystals and Zn1−xMxO (M=Co, Mn) epilayers grown by pulsed laser deposition on ZnO(00.1¯) substrate

Keywords: A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالا; 61.10.−i; 61.72.Ff; 68.55.−a; 75.50.Dd; 81.15.Fg; A1. Defects; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A3. Pulsed laser deposition; B1. Zinc oxide; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه