کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829870 | 1524499 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural studies of strain-symmetrised modulation-doped Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we present recent achievements on the low-temperature (â¼300 °C) molecular beam epitaxial growth of high Ge content Si/SiGe modulation-doped multiple quantum well structures on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrates. High-resolution X-ray reflectivity and diffraction experiments performed at the Swiss Light Source synchrotron, as well as analysis by transmission electron microscopy, showed very good control of the growth parameters and interface r.m.s. roughness as low as 0.4 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 495-499
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 495-499
نویسندگان
C.V. Falub, M. MeduÅa, E. Müller, S. Tsujino, A. Borak, H. Sigg, D. Grützmacher, T. Fromherz, G. Bauer,