کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829784 | 1524499 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Intermixing in self-assembled InAs quantum dot formation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
61.10.Nz61.14.Hg68.65.Hb68.43.Mn68.35.DvA1. Segregation - A1 جداسازیA1. Low-dimensional structures - A1 ساختارهای کم حجمA1. High-Resolution X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالاA1. Reflection high-energy electron diffraction - A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابیB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The influence of growth parameters and substrate material on the basic processes during strain-induced InAs-quantum dot (QD) formation and the resulting structural properties of the QDs is studied with reflection high-energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscopy (AFM), and X-ray diffraction. The process of strain-induced QD formation is strongly influenced by the intermixing with substrate material and the desorption of indium at high temperatures. From the experimental results, we conclude that the strain-energy modification due to temperature-dependent intermixing has a larger influence on QD formation than temperature-dependent kinetic processes at the surface. Interestingly, we also find that the maximum growth temperature limited by desorption depends on the growth speed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 46-50
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 46-50
نویسندگان
Ch. Heyn, A. Bolz, T. Maltezopoulos, R.L. Johnson, W. Hansen,