دانلود مقالات ISI درباره A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی + ترجمه فارسی

In situ determination of the growth conditions of GaSbBi alloys

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. GaSbBi; B2. III-V-Bi alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Monitoring surface roughness during film growth using modulated RHEED intensity oscillations

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 00-01; 99-00; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface processes; A3. Laser epitaxy; B1. Perovskites;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Kinetics and thermodynamics of Si(111) surface nitridation in ammonia

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A1. Surface processes; A1. Adsorption; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

High-index Cu2O (113) film on faceted MgO (110) by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Crystal structure; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Quantum dots; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effect of growth temperature on the structural, morphological and magnetic properties of Fe films on GaN(0 0 0 1)

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Nucleation and growth; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Metals; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

VI/II ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic CdSe epilayers by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. X-ray diffraction; A1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Cadmium compounds; B2 Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of n-GaAs layer on a rough surface of p-Si substrate by molecular beam epitaxy (MBE) for photovoltaic applications

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Atomic force microscopy; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Photocurrent spectroscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(0 0 1) by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Atomic force microscopy; A1. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; A1. Low dimensional structure; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Nonlinear optical; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 61.14.Hg; 78.67.Hc; 42.70.Nq;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of Zn/O flux ratio and Mn-doped ZnO buffer on the plasma-assisted molecular beam epitaxy of ZnO on c-plane sapphire

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.15.Hi; 81.10.Aj; 81.40.Tv; 78.55.−m; 68.60.−pA1. Characterization; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Aluminum monolayers on Si (1 1 1) for MBE-growth of GaN

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of GaN and GaN/AlN multiple quantum wells on sapphire, Si and GaN template by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.05.Ea; 68.65.Fg; A1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface morphology of the Si(1 1 1) surface induced by Co-deposition of Si and CH4

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.05.Dz; 81.10.−hA1. Atomic force microscopy; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Step formation; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Si(1 1 1)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth mechanisms and structural properties of self-assembled AlSb quantum dots on a Si(1 0 0) substrate

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 61.14.Hg; 68.37.Ps; 68.35.Gy; 68.65.Hb; 71.55.Eq; A1. Atomic force microscopy; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

RHEED metrology of Stranski–Krastanov quantum dots

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 61.14.Hg; 68.35.GyA1. Computer simulation; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Nanostructures; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Atomically controlled doping of nitrogen on GaAs(0 0 1) surfaces

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 61.14.Hg; 68.35.Bs; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. Nitridation; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of La0.5Sr0.5CoO3 thin film on MgO-buffered Si substrate by pulsed laser deposition method: Evolution of crystalline orientation, morphology and growth mode with substrate temperature

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 68.55.Jk; 81.15.FgA1. Crystal structure; A1. Growth mode; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Laser epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characterization of Au thin films deposited on α-Sn(1 1 1)-(3×3)/InSb(1 1 1)A surfaces

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 61.14.Hg; 61.82.Bg; 68.35.Fx; 68.65.AcA1. Crystal structure; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Selective epitaxial growth of AlN and GaN nanostructures on Si(1 1 1) by using NH3 as nitrogen source

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 61.46.Hk; 68.37.Ef; 61.14.−x; 81.15.HiA1. Nanostructures; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reductions of twin and protrusion in 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(1 0 0)

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 61.72.Mm; 61.14.Hg; 81.15.Gh; 81.10.Aj; 81.05.Je; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Planar defects; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of BaTiO3 thin films at a low temperature under 300 °C with temperature-controlled BaTiO3 buffer layer

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 79.60.Jv; 66.30.Ny; 61.14.HgA1. Atomic force microscopy; A1. Buffer layer; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Laser molecular beam epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thick cubic GaN film growth using ultra-thin low-temperature buffer layer by RF-MBE

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.10.i; 61.14.Hg; A1. Crystal structure; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Morphological instability of GaAs (7 1 1)A: A transition between (1 0 0) and (5 1 1) terraces

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Intermixing in self-assembled InAs quantum dot formation

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 61.10.Nz; 61.14.Hg; 68.35.Dv; 68.43.Mn; 68.65.Hb; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Low-dimensional structures; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Segregation; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

RHEED study of GaAs(3 3 1)B surface

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Crystal morphology; A1. Crystal model; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth characteristics of ultra-thin epitaxial CaxMg1−xF2 alloys on Si(1 1 1) substrates

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.15.Hi; 61.66.Dk; 68.55.Jk; A1. Crystal structure; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Alloys; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Two-dimensional growth of ZnO epitaxial films on c-Al2O3 (0 0 0 1) substrates with optimized growth temperature and low-temperature buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 61.10.Nz; 61.14.Hg; 68.55.Jk; 73.61.Ga; 78.66.Hf; 81.15.Hi; A1. Crystal structure; A1. Photoluminescence; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of ZnO thin films on Si substrates by PLD technique

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 81.05.Dz; 61.14.Hg; 78.55.Et; 81.15.Fg; A1. Photoluminescence; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A1. X-ray diffraction; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MBE growth and properties of GaAsSbN/GaAs single quantum wells

Keywords: A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابی; 71.55.Eq; 73.21.Fg; 78.55.Cr; 78.67.De; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitride; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Long wavelength laser dio

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه