کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795279 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomically controlled doping of nitrogen on GaAs(0 0 1) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We studied a technique of atomically controlled nitridation doping on GaAs(0 0 1) using (3×3) nitrogen (N)-stabilized reconstruction. Ordering of the N-stabilized surface has been found to depend on the (2×4)-reconstructed structures of GaAs(0 0 1). Nitridation transforms the (2×4) surfaces into the (3×3) by way of a new intermediate (3×4) surface. From these results, we proposed a model of the nitridation process on the GaAs(0 0 1) surface. Furthermore, layer-by-layer growth of a GaAs-capping layer has been confirmed on the nitrided surface. The atomically doped N-related isoelectronic centers show strong emission lines of excitons bound to N pairs ordered along [1 1 0].
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 34–37
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 34–37
نویسندگان
N. Shimizu, T. Inoue, T. Kita, O. Wada,