کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9829855 1524499 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thick cubic GaN film growth using ultra-thin low-temperature buffer layer by RF-MBE
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Thick cubic GaN film growth using ultra-thin low-temperature buffer layer by RF-MBE
چکیده انگلیسی
1.8 μm thick high-quality cubic GaN film was successfully grown on GaAs (1 0 0) using an ultra-thin, low-temperature GaN buffer layer by a plasma-assisted molecular beam epitaxy. The 'as-grown' low-temperature buffer layer was amorphous and ultra-thin (∼6 Å), which is a necessity condition to grow a pure cubic GaN epilayer. FWHM of X-ray rocking curve (c-GaN (2 0 0) diffraction) is as narrow as 28.7 arcmin.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1–4, 1 May 2005, Pages 411-414
نویسندگان
, , , , ,