کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829855 | 1524499 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thick cubic GaN film growth using ultra-thin low-temperature buffer layer by RF-MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
81.05.Ea81.15.Hi61.14.Hg61.10.iA1. Crystal structure - A1 ساختار کریستالیA1. X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکسA1. Reflection high-energy electron diffraction - A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابیA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB1. Nitrides - B1 نیتریت هاB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
1.8 μm thick high-quality cubic GaN film was successfully grown on GaAs (1 0 0) using an ultra-thin, low-temperature GaN buffer layer by a plasma-assisted molecular beam epitaxy. The 'as-grown' low-temperature buffer layer was amorphous and ultra-thin (â¼6 Ã
), which is a necessity condition to grow a pure cubic GaN epilayer. FWHM of X-ray rocking curve (c-GaN (2Â 0Â 0) diffraction) is as narrow as 28.7Â arcmin.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 411-414
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 411-414
نویسندگان
Ryuhei Kimura, Takeaki Suzuki, Masamichi Ouchi, Kouichi Ishida, Kiyoshi Takahashi,