کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795327 | 1524483 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth mechanisms and structural properties of self-assembled AlSb quantum dots on a Si(1Â 0Â 0) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
71.55.Eq61.14.Hg68.65.Hb68.35.Gy - 68.35.گ68.37.Ps - 68.37.PA1. Atomic force microscopy - A1 میکروسکوپ نیروی اتمیA1. Reflection high-energy electron diffraction - A1 پراش الکترونی با انرژی بازتابیA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB1. Antimonides - B1 آنتیبادیدهاB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-V
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth of AlSb quantum dots (QDs) on Si(1 0 0) substrates by molecular beam epitaxy (MBE) was investigated using reflection high-energy electron diffraction and atomic force microscopy (AFM), with varying the growth rate and Sb4/Al flux ratio. The thickness of the AlSb wetting layer (WL) was found to be independent of the Sb4/Al flux ratio and AlSb growth rate. At 540 °C, the thickness of the AlSb WL was about 0.3 monolayer regardless of the growth rate and flux ratio. AFM images showed that the size and density of AlSb QDs strongly depended on the growth rate and flux ratio. These results provide important information on the formation process of AlSb QDs on Si substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 244-247
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301â302, April 2007, Pages 244-247
نویسندگان
Y.K. Noh, S.R. Park, M.D. Kim, Y.J. Kwon, J.E. Oh, Y.H. Kim, J.Y. Lee, S.G. Kim, K.S. Chung, T.G. Kim,