کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796007 | 1023733 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Aluminum monolayers on Si (1 1 1) for MBE-growth of GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Aluminum monolayers on Si (1 1 1) for MBE-growth of GaN Aluminum monolayers on Si (1 1 1) for MBE-growth of GaN](/preview/png/1796007.png)
چکیده انگلیسی
Up to 10 monolayers of Al were deposited on Si (1 1 1) surfaces at low (450 °C) and high (640 °C) temperatures before the molecular beam epitaxy growth of GaN. The influence of the Al monolayers on the overall GaN epitaxial layers was investigated by reflection high-energy electron diffraction, atomic force microscopy, high-resolution X-ray diffraction and transmission electron microscopy. At high-temperature deposition, ∼1.3 monolayer Al gave the smoothest GaN surface and best crystalline quality. At the low temperature, only ∼0.8 ML provided the same GaN quality.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 114–117
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 114–117
نویسندگان
X.Y. Liu, H.F. Li, A. Uddin, T.G. Andersson,