کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796233 | 1023740 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Solution growth of n-type β-FeSi2 single crystals using Ni-doped Zn solvent
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have grown low-resistive and n-type β-FeSi2 single crystals by the temperature gradient solution growth (TGSG) method using Ni-doped Zn solvent. These crystals were obtained at the Ni concentrations between 0.05 and 0.5 wt%. Above the Ni concentration of 1.0 wt%, nickel silicides were preferably grown. The resisitivity of the Ni-doped crystals was 0.2-0.5 Ω cm at room temperature (RT). The electron concentration and Hall mobility at RT were (5-6)Ã1018 cmâ3 and 3-6 cm2/V s, respectively. We also determined the ionization energy of 26-60 meV for the Ni impurity in β-FeSi2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 292, Issue 2, 1 July 2006, Pages 290-293
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 292, Issue 2, 1 July 2006, Pages 290-293
نویسندگان
Haruhiko Udono, Yuta Aoki, Hirokazu Suzuki, Isao Kikuma,