کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796400 | 1023744 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
It is found that both methods using either continuous Sb supply or pre-deposition of a very thin Sb layer are efficient for the Sb-assisted molecular beam epitaxy growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells (QWs). The emission of QWs is extended to long wavelength close to 1.25 μm with high luminescence efficiency at room temperature. The influence of rapid thermal annealing (RTA) on the photoluminescence intensity critically depends on the annealing temperature and duration for highly strained QWs. A relatively low RTA temperature of 700 °C with a short duration of 10 s is suggested for optimizing the annealing effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 288, Issue 1, 2 February 2006, Pages 12-17
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 288, Issue 1, 2 February 2006, Pages 12-17
نویسندگان
De-Sheng Jiang, Yu-Hua Qu, Hai-Qiao Ni, Dong-Hai Wu, Ying-Qiang Xu, Zhi-Chuan Niu,