کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796546 | 1023747 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Homoepitaxial growth of Ti–Si–C MAX-phase thin films on bulk Ti3SiC2 substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Homoepitaxial growth of Ti–Si–C MAX-phase thin films on bulk Ti3SiC2 substrates Homoepitaxial growth of Ti–Si–C MAX-phase thin films on bulk Ti3SiC2 substrates](/preview/png/1796546.png)
چکیده انگلیسی
Ti3SiC2 films were grown on polycrystalline Ti3SiC2 bulk substrates using DC magnetron sputtering. The crystallographic orientation of the film grains is shown to be determined by the respective substrate-grain orientation through homoepitaxial MAX-phase growth. For a film composition close to Ti:Si:C=3:1:2, the films predominantly consist of MAX phases, both Ti3SiC2 and the metastable Ti4SiC3. Lower Si content resulted in growth of TiC with Ti3SiC2 as a minority phase. Thus, MAX-phase heterostructures with preferred crystallographic relationships can also be realized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 304, Issue 1, 1 June 2007, Pages 264–269
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 304, Issue 1, 1 June 2007, Pages 264–269
نویسندگان
P. Eklund, A. Murugaiah, J. Emmerlich, Zs. Czigàny, J. Frodelius, M.W. Barsoum, H. Högberg, L. Hultman,