کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796608 | 1023750 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of low-density GaN quantum dots on AlxGa1−xN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The growth of low-density GaN quantum dots on AlxGa1−xN by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) using in situ etching of the AlxGa1−xN surface in the presence of SiH4, is reported. Subsequent growth stages have been verified by atomic force microscopy and micro-photoluminescence (μPL). The low temperature μPL shows sharp emission lines originating from single quantum dots, without any artificial masks or mesa structures. This proves that the proposed growth technique offers unique possibility for detailed optical studies of energetic structure and recombination processes of single GaN/AlxGa1−xN quantum dots.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 289, Issue 2, 1 April 2006, Pages 472–476
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 289, Issue 2, 1 April 2006, Pages 472–476
نویسندگان
K. Pakuła, R. Bożek, K. Surowiecka, R. Stępniewski, A. Wysmołek, J.M. Baranowski,