کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796869 | 1023756 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characteristics of single crystalline AlN films grown on Ru(0 0 0 1) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have grown AlN films on Ru(0 0 0 1) substrates using a low-temperature growth technique with pulsed laser deposition. We found that AlN(0 0 0 1) grows epitaxially on Ru(0 0 0 1) with an in-plane epitaxial relationship of AlN[112¯0]//Ru[112¯0]. Electron backscattering diffraction observations revealed that neither 30° rotational domains nor cubic phase domains were present in the AlN films and the full-width at half-maximum of the distribution in the AlN[0 0 0 1] crystalline orientation was 0.56°. Spectroscopic ellipsometry measurements showed that the AlN/Ru hetero-interface was quite abrupt, which is important for fabrication of high-frequency film bulk acoustic resonators.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 297, Issue 2, 29 December 2006, Pages 317–320
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 297, Issue 2, 29 December 2006, Pages 317–320
نویسندگان
S. Inoue, K. Okamoto, T. Nakano, H. Fujioka,