کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796902 | 1023757 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of 4H–SiC on 4° off-axis (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯) substrates by hot-wall chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Homoepitaxial layers of 4H–SiC have been grown on 4° off-axis (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯) substrates under various growth conditions by horizontal hot-wall chemical vapor deposition. On the (0 0 0 1) epilayers, macroscopic step bunching has been significantly enhanced under C-rich condition. On the other hand, on the (0 0 0 1¯) C-face, epilayers without macroscopic step bunching could be grown with a wide range of C/Si ratio at 1600 °C. The C/Si ratio dependence of background doping concentration of epilayers on the (0 0 0 1¯) C-face clearly showed site-competition behavior, and a lowest background doping of 4.4×1014 cm−3 could be attained by low pressure growth at 35 Torr.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 291, Issue 2, 1 June 2006, Pages 370–374
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 291, Issue 2, 1 June 2006, Pages 370–374
نویسندگان
Keiji Wada, Tsunenobu Kimoto, Kimito Nishikawa, Hiroyuki Matsunami,