کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1797088 | 1023765 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Behaviors of group Va elements in ZnSe
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nitrogen (N) doped ZnSe homoepitaxial films and bulk single crystals doped with phosphorus (P), antimony (Sb) and bismuth (Bi), have been grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and Bridgman method, respectively. By examining photoluminescence (PL) spectra at low temperature, it is found that group Va elements act as both shallow acceptor and deep donor. To enhance the net acceptor concentration, ZnSe:Va specimens are annealed at different temperatures. The experimental results show that doped Va elements except P are activated remarkably. The C-V measurements show that the highest net acceptor concentration is 6.7Ã1017Â cmâ3 in ZnSe:N. Furthermore, the ionization energies of Va elements as acceptors and deep donor complexes are estimated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 297, Issue 1, 15 December 2006, Pages 95-99
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 297, Issue 1, 15 December 2006, Pages 95-99
نویسندگان
J.F. Wang, C.B. Oh, M. Isshiki,