کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1797252 | 1023775 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Alternate deposition and hydrogen doping technique for ZnO thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We propose an alternate deposition and hydrogen doping (ADHD) technique for polycrystalline hydrogen-doped ZnO thin films, which is a sublayer-by-sublayer deposition based on metalorganic chemical vapor deposition and mercury-sensitized photodecomposition of hydrogen doping gas. Compared to conventional post-deposition hydrogen doping, the ADHD process provides superior electrical conductivity, stability, and surface roughness. Photoluminescence spectra measured at 10Â K reveal that the ADHD technique improves ultraviolet and violet emissions by suppressing the green and yellow emissions. Therefore, the ADHD technique is shown to be very promising aid to the manufacture of improved transparent conducting electrodes and light emitting materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 293, Issue 2, 1 August 2006, Pages 253-257
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 293, Issue 2, 1 August 2006, Pages 253-257
نویسندگان
Seung Yeop Myong, Koeng Su Lim,