کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1797354 | 1023780 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE growth optimization of InN nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth of InN using plasma-assisted MBE has been investigated within the parameter range of columnar growth to obtain uniform whiskers with a high crystalline quality. The column morphology and crystalline quality were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and photoluminescence (PL), respectively. The PL peak energy varies in the range 0.76–0.82 eV, while the peak intensity changes more than two orders of magnitude with the growth conditions. The PL intensity increases with column length and growth temperature. These findings suggest higher crystalline quality and less intrinsic doping at higher growth temperature. Columns grown at higher temperatures are very nonuniform in diameter.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 1, 15 April 2006, Pages 241–247
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 1, 15 April 2006, Pages 241–247
نویسندگان
T. Stoica, R. Meijers, R. Calarco, T. Richter, H. Lüth,