کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1810587 | 1025566 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of delafossite CuFeO2 thin films by pulse laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
CuFeO2 (CFO) is a delafossite-type compound and is a well known p-type semiconductor. Epitaxial CuFeO2 thin films were prepared on Al2O3 (0 0 0 1) substrates by pulsed laser deposition. The deposition, performed at 500 °C and 10 Pa leads to epitaxial phase with extremely low roughness and high density. The oxygen pressure modulates the band energy properties of Cu 2p, Fe 3p and O1s. The results show that the low deposition oxygen pressure contributes to the chemistry ingredient and magnetization properties. Furthermore, spin-glass behavior is identified and weak-ferromagnetization property is found at a low temperature about ∼5 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 13, 1 July 2012, Pages 2412–2415
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 13, 1 July 2012, Pages 2412–2415
نویسندگان
S.Z. Li, J. Liu, X.Z Wang, B.W. Yan, H. Li, J.–M. Liu,