کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1810662 | 1025567 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of O-vacancy defects on the Schottky barrier heights in Ni/SiO2 and Ni/HfO2 interfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We perform first-principles density functional calculations to study the electronic structure of Ni/HfO2 and Ni/SiO2 interfaces and the effect of O-vacancy (VO) defects on the Schottky barrier height and the effective work function. We generate two interface models in which Ni is placed on O-terminated HfO2 (1 0 0) and α-quartz (1 0 0) surfaces. As the concentration of VO defects at the interface increases, the p-type Schottky barrier height tends to increase in the Ni/HfO2 interface, due to the reduction of interface dipoles, whereas it is less affected in the Ni/SiO2 interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 15, 1 August 2012, Pages 2907–2910
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 407, Issue 15, 1 August 2012, Pages 2907–2910
نویسندگان
Hyeon-Kyun Noh, Young Jun Oh, K.J. Chang,